
Silizium-Halbleitertechnologie
Grundlagen mikroelektronischer Integrationstechnik
Ulrich Hilleringmann(Autor*in)
Springer Vieweg (Verlag)
6. Auflage
Erschienen am 23. September 2014
Buch
Softcover
XI, 263 Seiten
978-3-8348-1335-0 (ISBN)
Artikel ist vergriffen; siehe Neuauflage
Beschreibung
Ein Lehrbuch zu den grundlegenden Verfahren der Mikroelektronik und Integrationstechniken. Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 10 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik.
In der 6. Auflage ...
In der 6. Auflage ...
Weitere Details
Auflage
6., korr. und verb. Aufl. 2014
Sprache
Deutsch
Verlagsort
Wiesbaden
Deutschland
Verlagsgruppe
Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH
Zielgruppe
Graduate
Produkt-Hinweis
Broschur/Paperback
Klebebindung
Illustrationen
13
160 s/w Abbildungen, 13 s/w Tabellen
Bibliography; Illustrations, black and white; 13 Tables, black and white
Maße
Höhe: 24 cm
Breite: 16.8 cm
Dicke: 15 mm
Gewicht
470 gr
ISBN-13
978-3-8348-1335-0 (9783834813350)
DOI
10.1007/978-3-8348-2085-3
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Person
Prof. Dr.-Ing. Ulrich Hilleringmann ist Leiter des Fachgebietes Sensorik an der Universität Paderborn und lehrt Halbleitertechnologie, Messtechnik, Sensorik und Prozessmesstechnik.
Inhalt
Herstellung von Siliziumscheiben - Oxidation des dotierten Siliziums - Lithografie - Ätztechnik - Dotiertechniken - Depositionsverfahren - Metallisierung und Kontakte - Scheibenreinigung - MOS-Technologien zur Schaltungsintegration - Erweiterungen zur Höchstintegration - Bipolar-Technologie - Montage integrierter Schaltungen - Atomic Layer Deposition