Untersuchungen zur Reaktivität von Polyanionen der Elemente Si, Ge, Sn und Bi in Lösung

Polyanionen von Si, Ge, Sn und Bi wurden in Ethylendiamin oder flüssigem Ammoniak mit Übergangsmetallkomplexen und Bis(trimethylsilyl)acetylen umgesetzt. Die Synthese und Kristallstruktur des ersten vinylierten Ge9-Dimers [R-Ge9-Ge9-R]4- (R=CHCH2) wurde beschrieben. In neuen Ammoniakaten konnten die bisher am höchst-geladenen [Si4]4- und [Bi4]6- Anionen isoliert werden. Neue metallüberbrückte Anionen wurden durch Umsetzungen der Polyanionen mit Au(I)-, Zn(I)- und Ti(IV)-Komplexe erhalten.