Sozdanie fotoshablonow metodom lazernoj bezmaskowoj litografii

Osnownoe mesto w sowremennoj tehnologii izgotowleniq izdelij mikroälektroniki zanimaet fotolitografiq. Tehnologicheskij process fotolitografii sostoit iz neskol'kih osnownyh operacij: podgotowki powerhnosti poluprowodnikowoj plastiny, naneseniq na powerhnost' plastiny sloq fotorezista, sushki fotorezista, äxponirowaniq, proqwleniq i zadubliwaniq fotorezista, kontrolq geometricheskih razmerow izobrazheniq, trawleniq plenki, promywki plastiny posle trawleniq, udaleniq plenki fotorezista s powerhnosti, kontrolq obrabotannyh plastin. Cel'ü raboty qwlqlos' poluchenie fotoshablonow s minimal'nymi parametrami, wozmozhnymi dlq dannogo oborudowaniq. Dlq ätogo issledowalos' wliqnie wremeni äxpozicii i wremeni proqwleniq na parametry fotoshablonow (harakter risunka), poluchennyh metodom bezmaskowoj lazernoj litografii na ustanowke äxponirowaniq 'Heidelberg µPG501'. V rezul'tate wypolneniq raboty byli izgotowleny fotoshablony s geometricheskimi parametrami 2 mkm, pri ätom dlq dannoj partii ustanowleny optimal'nye wremq äxpozicii 35 ms i wremq proqwleniq 60 s .