Das Buch umfasst die Grundlagen der Halbleiterphysik bis zu modernen Teilgebieten wie z.B. den Quanten-Halleffekten und Experimenten mit ballistischen Elektronen, schließt aber auch ausgewählte Bauelemente ein, darunter aktuelle Strukturen mit zweidimensionalen (verspannten) Heteroschichten und Quanten-Bauelemente. Zielgruppenspezifisch werden zudem Grundlagen der Bauelemente bzw. der Festkörperphysik wiederholt. An zahlreichen Stellen sind gesondert gekennzeichnete Erläuterungen bzw. Zusammenfassungen zu wichtigen Stichworten eingefügt, die eine individuelle Schwerpunktsetzung ermöglichen.
Rezensionen / Stimmen
"Dieses umfassende Lehrbuch wird sowohl den Anforderungen von Physikern als auch Ingenieuren gerecht." Beate Hörnig, ekz-Informationsdienst
Sprache
Verlagsort
Berlin/München/Boston
Deutschland
Zielgruppe
Für höhere Schule und Studium
Produkt-Hinweis
Broschur/Paperback
Fadenheftung
Gewebe-Einband
Maße
Höhe: 240 mm
Breite: 170 mm
Dicke: 23 mm
Gewicht
ISBN-13
978-3-486-58863-7 (9783486588637)
Schweitzer Klassifikation
Prof. Dr. Rolf Sauer ist Direktor des Instituts für Halbleiterphysik der Universität Ulm.
Nach dem Studium der Physik an der Universität Hannover arbeitete er zunächst als wissenschaftlicher Mitarbeiter am Physikalischen Institut der Universität Frankfurt/Main sowie am 4. Physikalischen Institut der Universität Stuttgart. 1973 folgte die Promotion zum Dr. rer. nat., 1978 die Habilitation, jeweils an der Universität Stuttgart. Anschließend war Prof. Dr. Rolf Sauer wissenschaftlicher Mitarbeiter am Max-Planck-Institut für Festkörperforschung in Stuttgart und lehrte als apl. Professor am FB Physik der Universität Stuttgart. 1986 bis 1987 hatte er einen Forschungsaufenthalt bei AT & T Bell Laboratories, Murray Hill, N.J., USA. Anschließend war er als Gastwissenschaftler im Forschungsinstitut Zürich/Rüschlikon der IBM tätig, bevor er 1989 dem Ruf an die Universität Ulm folgte.
Aus dem Inhalt: - Einleitung: Begriffsbildungen; Halbleitermaterialien - Kristallstrukturen - Bandstrukturberechnungen - Experimentelle Bestimmung von Bandstrukturparametern - Störstellen - Besetzungsstatistik - Nichtgleichgewichtsprozesse - Transport: Streumechanismen und Ladungsträgerbeweglichkeiten - Optische Eigenschaften - Zwei- und eindimensionale Elektronen/Löcher - Gleichrichtende Übergänge - Transistoren - Silizium-Technologie - Halbleiter-Leuchtdioden und -Laser