Estrutura Eletronica de Aneis Quanticos

Desafiantes questões das propriedades eletrônicas de sistemas nanoscópicos anelares são abordadas em cálculos e experimentos, onde procedimentos, que vão desde o crescimento e síntese por MBE (molecular beam epitaxy) à caracterização estrutural e óptica, se interligam. O presente texto sistematiza o estudo das propriedades eletrônicas e ópticas de sistemas semicondutores quase-zero-dimensionais com confinamento anelar, através da utilização de métodos de cálculo de estrutura eletrônica utilizando o modelo k.p, o que permite elucidar efeitos de tensão na modulação dos perfis de potencial e da estrutura eletrônica, de campos magnéticos aplicados, nos estados de spin, além de efeitos relativos à composição e confinamento.