Einsatz von Polyelektrolyt-Multischichten für das temporäre Waferbonden

Das Bonden dient zum Verbinden von Siliziumwafern und ist in der Mikrosystem- und Halbleitertechnik häufig genutztes Verfahren, aber infolge ständig steigender technischer Anforderungen ist das Handling von großflächigen und ultradünnen Wafern erschwert. Das temporäre Waferbonden bietet die Möglichkeit, den Prozesswafer für notwendige Bearbeitungsschritte auf einem Trägerwafer mittels einer Zwischenschicht zu fixieren und diesen nach Abschluss der Prozessschritte wieder zu lösen. In der vorliegenden Arbeit werden Polyelektrolyt-Multischichten (PEM) als Zwischenschicht zwischen den Siliziumwafern eingesetzt. Das Bondverhalten wird anhand unterschiedlicher PEM-Kombinationen evaluiert, wobei der Fokus der experimentellen Untersuchungen auf der Bestimmung der Bondstärke liegt. Der verwendete Klingentest bietet die Möglichkeit, die Bondenergie in situ in Abhängigkeit der Temperatur zu bestimmen. Ein neuer, hier erstmals untersuchter Ansatz zum temporären Bonden mit Polyelektrolyt-Multischichten basiert auf ihrem anaeroben photokatalytischen Abbau durch Bestrahlung mit UV-Licht.