Electrodéposition et caractérisation des couches minces de Cu2O p et n

Le Cu2O est connu comme un semi-conducteur de type-p depuis plusieurs années. Cependant, le Cu2O de type n n'existe pas naturellement, mais il peut être déposé électrochimiquement par dopage ou par ajustage du pH. Dans cette étude, nous avons déposé des nanostructures de Cu2O dopé au Cl sur un substrat de FTO dans un bain sulfate avec différente concentrations de KCl et NaCl. Pour le KCl: Les mesures M-S montrent une conduction type-p pour le Cu2O non dopé et dopé avec 0.01 M et 0.05 M KCl, et une conduction de type-n pour le Cu2O dopé avec 0.1 M. On a utilisé les mesures de photo-courant pour confirmer les résultats de MS. La caractérisation par DRX et UV-Vis a montré que les ions Cl- influencent les propriétés structurales et optiques de Cu2O. Pour le NaCl: Les mesures de M-S ont montré que les dépôts non dopé et dopé avec 0.01 M présentent une conduction type p alors que les autres sont de type n ainsi qu'une augmentation des porteurs de charges quand le dopage en Cl croit. La DRX a montré que les dépôts ont une structure selon (111). L'AFM montre une modification de la topographie. Les propriétés optiques indiquent une diminution de l'énergie de gap avec l'ajout de Cl-.