Methoden zur Phasenrauschverbesserung von monolithischen Millimeterwellen-Oszillatoren

In der vorliegenden Arbeit wird die Optimierung des Phasenrauschens von monolithischen Millimeterwellenoszillatoren im Frequenzbereich von 1 bis 120 GHz behandelt. Es werden verschiedene Entwurfsverfahren von Oszillatoren hinsichtlich ihrer Eignung für die spezifischen Erfordernisse des monolithischen Schaltungsdesigns untersucht. Ein Schwerpunkt liegt auf der Untersuchung der Wirksamkeit unterschiedlicher Methoden zur Verringerung des Oszillatorphasenrauschens anhand von realisierten MMICs auf GaAs. Diese Methoden beziehen sich auf den Einfluß der Oszillatorgüte, des Niederfrequenzrauschens, des Arbeitspunktes und des Varaktors. Ebenfalls untersucht wird das differentielle Oszillatorkonzept, da sich dieses als besonders vorteilhaft für die Erzielung niedrigen Phasenrauschens erwiesen hat. Abschließend werden einige im Rahmen der Arbeit entstandene Oszillatoren beschrieben, die sich durch ein besonders geringes Phasenrauschen auszeichneten