Bauelemente

1 - Titel [Seite 3]
2 - Copyright / Impressum [Seite 4]
3 - Vorwort [Seite 5]
4 - Inhaltsverzeichnis [Seite 7]
5 - 1 Einführung in die Oszillographenmesstechnik [Seite 17]
5.1 - 1.1 Allgemeines [Seite 17]
5.2 - 1.2 Aufbau und Arbeitsweise eines Oszilloskops [Seite 18]
5.3 - 1.3 Bedienung eines Oszillosko [Seite 23]
5.4 - 1.4 Lernziel-Test [Seite 25]
6 - 2 Lineare und nichtlineare Widerstände [Seite 27]
6.1 - 2.1 Allgemeine Eigenschaften [Seite 27]
6.2 - 2.2 Festwiderstände [Seite 29]
6.3 - 2.3 Einstellbare Widerstände [Seite 37]
6.4 - 2.4 Temperaturabhängigkeit von Widerständen [Seite 43]
6.5 - 2.5 Heißleiterwiderstände und Kaltleiterwiderstände [Seite 44]
6.6 - 2.6 Spannungsabhängige Widerstände [Seite 49]
6.7 - 2.7 Lernziel-Test [Seite 53]
7 - 3 Kondensatoren und Spulen [Seite 57]
7.1 - 3.1 Kapazität [Seite 57]
7.2 - 3.2 Kondensatoren [Seite 59]
7.3 - 3.3 Kondensator im Gleichstromkreis [Seite 71]
7.4 - 3.4 Kondensator im Wechselstromkreis [Seite 74]
7.5 - 3.5 Reihen- und Parallelschaltung von Kondensatoren [Seite 77]
7.6 - 3.6 Spulen [Seite 79]
7.7 - 3.7 Spule im Gleichstromkreis [Seite 83]
7.8 - 3.8 Spule im Wechselstromkreis [Seite 86]
7.9 - 3.9 Reihen- und Parallelschaltung von Spulen [Seite 91]
7.10 - 3.10 Lernziel-Test [Seite 94]
8 - 4 Frequenzabhängige Zwei- und Vierpole [Seite 97]
8.1 - 4.1 Allgemeines [Seite 97]
8.2 - 4.2 Reihenschaltung von R und C [Seite 97]
8.3 - 4.3 Reihenschaltung von R und L [Seite 98]
8.4 - 4.4 RC-Glied [Seite 99]
8.5 - 4.5 CR-Glied [Seite 101]
8.6 - 4.6 RL-Glied [Seite 103]
8.7 - 4.7 LR-Glied [Seite 105]
8.8 - 4.8 Schwingkreise [Seite 106]
8.9 - 4.9 RC-Glied als Integrierglied [Seite 118]
8.10 - 4.10 CR-Glied als Differenzierglied [Seite 120]
8.11 - 4.11 Lernziel-Test [Seite 123]
9 - 5 Halbleiterdioden [Seite 125]
9.1 - 5.1 Halbleiterwerkstoffe [Seite 125]
9.2 - 5.2 Aufbau eines Halbleiterkristalls [Seite 126]
9.3 - 5.3 Eigenleitfähigkeit [Seite 128]
9.4 - 5.4 n-Silizium [Seite 128]
9.5 - 5.5 p-Silizium [Seite 130]
9.6 - 5.6 pn-Übergang [Seite 132]
9.7 - 5.7 Arbeitsweise von Halbleiterdioden [Seite 138]
9.8 - 5.8 Schaltverhalten von Halbleiterdioden [Seite 144]
9.9 - 5.9 Temperaturverhalten von Halbleiterdioden [Seite 146]
9.10 - 5.10 Halbleiterdioden als Gleichrichter [Seite 147]
9.11 - 5.11 Halbleiterdioden als Schalter [Seite 152]
9.12 - 5.12 Bauarten von Halbleiterdioden [Seite 153]
9.13 - 5.13 Prüfen von Halbleiterdioden [Seite 156]
9.14 - 5.14 Kennwerte und Grenzwerte [Seite 157]
9.15 - 5.15 Lernziel-Test [Seite 159]
10 - 6 Halbleiterdioden mit speziellen Eigenschaften [Seite 161]
10.1 - 6.1 Z-Dioden [Seite 161]
10.2 - 6.2 Kapazitätsdioden [Seite 170]
10.3 - 6.3 Tunneldioden (Esakidioden) [Seite 175]
10.4 - 6.4 Backwarddioden [Seite 178]
10.5 - 6.5 PIN-Dioden [Seite 179]
10.6 - 6.6 Schottky-Dioden (Hot-Carrier-Dioden) [Seite 182]
10.7 - 6.7 Lernziel-Test [Seite 184]
11 - 7 Bipolare Transistoren [Seite 187]
11.1 - 7.1 Allgemeines [Seite 187]
11.2 - 7.2 Arbeitsweise von pnp-Transistoren [Seite 187]
11.3 - 7.3 Arbeitsweise von npn-Transistoren [Seite 192]
11.4 - 7.4 Spannungen und Ströme beim Transistor [Seite 194]
11.5 - 7.5 Kennlinienfelder und Kennwerte (Emittergrundschaltung) [Seite 197]
11.6 - 7.6 Wahl des Transistorarbeitspunktes [Seite 203]
11.7 - 7.7 Steuerung des Transistors [Seite 207]
11.8 - 7.8 Restströme, Sperrspannungen und Durchbruchspannungen [Seite 211]
11.9 - 7.9 Übersteuerungszustand und Sättigungsspannungen [Seite 214]
11.10 - 7.10 Transistorverlustleistung [Seite 216]
11.11 - 7.11 Temperatureinfluss und Arbeitspunktstabilisierung [Seite 220]
11.12 - 7.12 Transistorrauschen [Seite 221]
11.13 - 7.13 Transistordaten [Seite 225]
11.14 - 7.14 Anwendungen [Seite 230]
11.15 - 7.15 Lernziel-Test [Seite 236]
12 - 8 Unipolare Transistoren [Seite 239]
12.1 - 8.1 Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (JFET) [Seite 239]
12.2 - 8.2 MOS-Feldeffekttransistoren (IG-FET) [Seite 249]
12.3 - 8.3 Dual-Gate-MOS-FET [Seite 264]
12.4 - 8.4 Unijunktiontransistoren (UJT) [Seite 265]
12.5 - 8.5 Lernziel-Test [Seite 269]
13 - 9 Integrierte Schaltungen [Seite 271]
13.1 - 9.1 Allgemeines [Seite 271]
13.2 - 9.2 Integrationstechniken [Seite 272]
13.3 - 9.3 Analoge und digitale integrierte Schaltungen [Seite 277]
13.4 - 9.4 Integrationsgrad und Packungsdichte [Seite 279]
13.5 - 9.5 Vor- und Nachteile integrierter Schaltungen [Seite 280]
13.6 - 9.6 Nanotechnik [Seite 281]
13.7 - 9.7 Operationsverstärker [Seite 282]
13.8 - 9.8 Lernziel-Test [Seite 289]
14 - 10 Thyristoren [Seite 291]
14.1 - 10.1 Vierschichtdioden (Thyristordioden) [Seite 291]
14.2 - 10.2 Thyristoren (rückwärtssperrende Thyristortrioden) [Seite 296]
14.3 - 10.3 Thyristortetroden [Seite 311]
14.4 - 10.4 GTO-Thyristoren [Seite 313]
14.5 - 10.5 Lernziel-Test [Seite 316]
15 - 11 Diac und Triac [Seite 319]
15.1 - 11.1 Diac [Seite 319]
15.2 - 11.2 Triac [Seite 322]
15.3 - 11.3 Steuerungen mit Diac und Triac [Seite 328]
15.4 - 11.4 Lernziel-Test [Seite 331]
16 - 12 Fotohalbleiter [Seite 333]
16.1 - 12.1 Innerer fotoelektrischer Effekt [Seite 333]
16.2 - 12.2 Fotowiderstände [Seite 334]
16.3 - 12.3 Fotoelemente und Solarzellen [Seite 336]
16.4 - 12.4 Fotodioden [Seite 345]
16.5 - 12.5 Fototransistoren [Seite 347]
16.6 - 12.6 Fotothyristoren, Fotothyristortetroden [Seite 349]
16.7 - 12.7 Leuchtdioden (LED) [Seite 352]
16.8 - 12.8 Halbleiterlaser [Seite 367]
16.9 - 12.9 Lichtwellenleiter [Seite 368]
16.10 - 12.10 Opto-Koppler [Seite 371]
16.11 - 12.11 Lernziel-Test [Seite 374]
17 - 13 Halbleiterbauelemente mit speziellen Eigenschaften [Seite 375]
17.1 - 13.1 Hallgeneratoren [Seite 375]
17.2 - 13.2 Feldplatten [Seite 379]
17.3 - 13.3 Magnetdioden [Seite 382]
17.4 - 13.4 Druckabhängige Halbleiterbauelemente [Seite 384]
17.5 - 13.5 Flüssigkristall-Bauteile [Seite 385]
17.6 - 13.6 Thin-Film-Transistor(TFT)-LCD-Bildschirme [Seite 389]
17.7 - 13.7 Plasma-Displays (PDP, Plasma Display Panel) [Seite 392]
17.8 - 13.8 Lernziel-Test [Seite 393]
18 - 14 Elektronen- und Ionenröhren [Seite 395]
18.1 - 14.1 Thermoemission [Seite 395]
18.2 - 14.2 Röhrendiode (Zweipolröhre, Vakuumdiode) [Seite 395]
18.3 - 14.3 Triode (Dreipolröhre) [Seite 397]
18.4 - 14.4 Tetrode (Vierpolröhre) [Seite 402]
18.5 - 14.5 Pentode (Fünfpolröhre) [Seite 403]
18.6 - 14.6 Elektronenstrahlröhren [Seite 407]
18.7 - 14.7 Ionenröhren [Seite 412]
18.8 - 14.8 Fotozellen [Seite 416]
18.9 - 14.9 Lernziel-Test [Seite 420]
19 - 15 Lösungen der Lernziel-Tests [Seite 421]
19.1 - Kapitel 1 [Seite 421]
19.2 - Kapitel 2 [Seite 421]
19.3 - Kapitel 3 [Seite 422]
19.4 - Kapitel 4 [Seite 424]
19.5 - Kapitel 5 [Seite 425]
19.6 - Kapitel 6 [Seite 426]
19.7 - Kapitel 7 [Seite 426]
19.8 - Kapitel 8 [Seite 428]
19.9 - Kapitel 9 [Seite 428]
19.10 - Kapitel 10 [Seite 429]
19.11 - Kapitel 11 [Seite 429]
19.12 - Kapitel 12 [Seite 429]
19.13 - Kapitel 13 [Seite 429]
19.14 - Kapitel 14 [Seite 430]
20 - Anhang Datenblätter [Seite 431]
20.1 - SIEMENS PNP Silicon Darlington Transistor BC 516 [Seite 432]
20.2 - SIEMENS NPN Silicon Darlington Transistor BC 517 [Seite 436]
21 - Glossar [Seite 440]
22 - Stichwortverzeichnis [Seite 441]