???????????? ?????????????? ???? ??????&

Rabota otnositsq k oblasti nanotehnologij, burno razwiwaüschejsq w poslednie desqtiletiq. Mnogie momenty do sih por ostaütsq neqsnymi i trebuüt dopolnitel'noj prorabotki. Predlagaemaq rabota soderzhit analiz zakonomernostej obrazowaniq na powerhnostqh Si(111) i Si(557) älementow rekonstrukcii i klasternyh struktur. Issledowany osobennosti wozniknoweniq rekonstrukcii 7h7 na wicinal'noj powerhnosti Si(557). Ustanowleno, chto nachalo obrazowaniq klasterow na powerhnosti Si(557) w otlichie ot powerhnosti Si(111) nachinaetsq ne srazu s nachalom napyleniq. Zaderzhka sostawlqet do 20% ot obschego wremeni napyleniq monosloq. Za wremq ätoj zaderzhki atomy indiq osazhdaütsq na stupen'kah, obrazuq zony nestrukturirowannogo pokrytiq indiem. Sdelana popytka ob#qsnit' prichinu obrazowaniq stol' slozhnyh rekonstrukcij, kak 7h7 ili 5h5. Sformulirowana wersiq sozdaniq metodiki STMS - odnowremennogo skanirowaniq rel'efa powerhnosti i snqtiq spektroskopicheskih zawisimostej.