Bauelemente
Elektronik 2
21. Auflage
Erschienen im Dezember 2022
452 Seiten
978-3-8343-6284-1 (ISBN)
Beschreibung
Die Bauelemente der Elektronik werden für Ingenieure, Techniker und Facharbeiter umfassend, übersichtlich und leichtverständlich dargestellt. Darüber hinaus finden auch Nichttechniker und Schüler einen ballastarmen Einstieg in das weite Gebiet der Elektronik. Durch seine übersichtliche Struktur kann das Werk sowohl unterrichtsbegleitend als auch im Selbststudium eingesetzt werden. Lernziel-Tests zu jedem Kapitel überprüfen den Wissensstand.
Einführung in die Oszillographenmeßtechnik
Lineare und nichtlineare Widerstände
Kondensatoren und Spulen
Frequenzabhängige Zwei- und Vierpole
Halbleiterdioden
Bipolare und unipolare Transistoren
Integrierte Schaltungen
Thyristoren, Diac und Triac
Fotorhalbleiter, Halbleiterelemente mit speziellen Eigenschaften
Elektronen- und Ionenröhren
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Inhalt
- Intro
- Titel
- Copyright / Impressum
- Vorwort
- Stichwortverzeichnis
- Inhaltsverzeichnis
- 1 Einführung in die Oszillographenmesstechnik
- 1.1 Allgemeines
- 1.2 Aufbau und Arbeitsweise eines Oszilloskops
- 1.3 Bedienung eines Oszilloskops
- 1.4 Lernziel-Test
- 2 Lineare und nichtlineare Widerstände
- 2.1 Allgemeine Eigenschaften
- 2.2 Festwiderstände
- 2.3 Einstellbare Widerstände
- 2.4 Temperaturabhängigkeit von Widerständen
- 2.5 Heißleiterwiderstände und Kaltleiterwiderstände
- 2.6 Spannungsabhängige Widerstände
- 2.7 Lernziel-Test
- 3 Kondensatoren und Spulen
- 3.1 Kapazität
- 3.2 Kondensatoren
- 3.3 Kondensator im Gleichstromkreis
- 3.4 Kondensator im Wechselstromkreis
- 3.5 Reihen- und Parallelschaltung von Kondensatoren
- 3.6 Spulen
- 3.7 Spule im Gleichstromkreis
- 3.8 Spule im Wechselstromkreis
- 3.9 Reihen- und Parallelschaltung von Spulen
- 3.10 Lernziel-Test
- 4 Frequenzabhängige Zwei- und Vierpole
- 4.1 Allgemeines
- 4.2 Reihenschaltung von R und C
- 4.3 Reihenschaltung von R und L
- 4.4 RC-Glied
- 4.5 CR-Glied
- 4.6 RL-Glied
- 4.7 LR-Glied
- 4.8 Schwingkreise
- 4.9 RC-Glied als Integrierglied
- 4.10 CR-Glied als Differenzierglied
- 4.11 Lernziel-Test
- 5 Halbleiterdioden
- 5.1 Halbleiterwerkstoffe
- 5.2 Aufbau eines Halbleiterkristalls
- 5.3 Eigenleitfähigkeit
- 5.4 n-Silizium
- 5.5 p-Silizium
- 5.6 pn-Übergang
- 5.7 Arbeitsweise von Halbleiterdioden
- 5.8 Schaltverhalten von Halbleiterdioden
- 5.9 Temperaturverhalten von Halbleiterdioden
- 5.10 Halbleiterdioden als Gleichrichter
- 5.11 Halbleiterdioden als Schalter
- 5.12 Bauarten von Halbleiterdioden
- 5.13 Prüfen von Halbleiterdioden
- 5.14 Kennwerte und Grenzwerte
- 5.15 Lernziel-Test
- 6 Halbleiterdioden mit speziellen Eigenschaften
- 6.1 Z-Dioden
- 6.2 Kapazitätsdioden
- 6.3 Tunneldioden (Esakidioden)
- 6.4 Backwarddioden
- 6.5 PIN-Dioden
- 6.6 Schottky-Dioden (Hot-Carrier-Dioden)
- 6.7 Lernziel-Test
- 7 Bipolare Transistoren
- 7.1 Allgemeines
- 7.2 Arbeitsweise von pnp-Transistoren
- 7.3 Arbeitsweise von npn-Transistoren
- 7.4 Spannungen und Ströme beim Transistor
- 7.5 Kennlinienfelder und Kennwerte (Emittergrundschaltung)
- 7.6 Wahl des Transistorarbeitspunktes
- 7.7 Steuerung des Transistors
- 7.8 Restströme, Sperrspannungen und Durchbruchspannungen
- 7.9 Übersteuerungszustand und Sättigungsspannungen
- 7.10 Transistorverlustleistung
- 7.11 Temperatureinfluss und Arbeitspunktstabilisierung
- 7.12 Transistorrauschen
- 7.13 Transistordaten
- 7.14 Anwendungen
- 7.15 Lernziel-Test
- 8 Unipolare Transistoren
- 8.1 Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (JFET)
- 8.2 MOS-Feldeffekttransistoren (IG-FET)
- 8.3 Dual-Gate-MOS-FET
- 8.4 Unijunktiontransistoren (UJT)
- 8.5 Lernziel-Test
- 9 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
- 9.1 Allgemeines
- 9.2 Aufbau und Funktionsweise
- 9.3 Latch-up-Effekt
- 9.4 IGBT-Typen
- 9.5 Verluste
- 9.6 Vor- und Nachteile des IGBT
- 9.7 Anwendungen und Bauformen
- 9.8 Gehäuse
- 9.9 Lernziel-Test
- 10 Integrierte Schaltungen
- 10.1 Allgemeines
- 10.2 Integrationstechniken
- 10.3 Analoge und digitale integrierte Schaltungen
- 10.4 Integrationsgrad und Packungsdichte
- 10.5 Vor- und Nachteile integrierter Schaltungen
- 10.6 Nanotechnik
- 10.7 Operationsverstärker
- 10.8 Lernziel-Test
- 11 Thyristoren
- 11.1 Vierschichtdioden (Thyristordioden)
- 11.2 Thyristoren (rückwärtssperrende Thyristortrioden)
- 11.3 Thyristortetroden
- 11.4 GTO-Thyristoren
- 11.5 Lernziel-Test
- 12 Diac und Triac
- 12.1 Diac
- 12.2 Triac
- 12.3 Steuerungen mit Diac und Triac
- 12.4 Lernziel-Test
- 13 Fotohalbleiter
- 13.1 Innerer fotoelektrischer Effekt
- 13.2 Fotowiderstände
- 13.3 Fotoelemente und Solarzellen
- 13.4 Fotodioden
- 13.5 Fototransistoren
- 13.6 Fotothyristoren, Fotothyristortetroden
- 13.7 Leuchtdioden (LED)
- 13.8 Halbleiterlaser
- 13.9 Lichtwellenleiter
- 13.10 Opto-Koppler
- 13.11 Lernziel-Test
- 14 Halbleiterbauelemente mit speziellen Eigenschaften
- 14.1 Hallgeneratoren
- 14.2 Feldplatten
- 14.3 Magnetdioden
- 14.4 Druckabhängige Halbleiterbauelemente
- 14.5 Flüssigkristall-Bauteile
- 14.6 Thin-Film-Transistor(TFT)-LCD-Bildschirme
- 14.7 Plasma-Displays (PDP, Plasma Display Panel)
- 14.8 Lernziel-Test
- 15 Elektronen- und Ionenröhren
- 15.1 Thermoemission
- 15.2 Röhrendiode (Zweipolröhre, Vakuumdiode)
- 15.3 Triode (Dreipolröhre)
- 15.4 Tetrode (Vierpolröhre)
- 15.5 Pentode (Fünfpolröhre)
- 15.6 Elektronenstrahlröhren
- 15.7 Ionenröhren
- 15.8 Fotozellen
- 15.9 Lernziel-Test
- 16 Lösungen der Lernziel-Tests
- Anhang
- Glossar
